Testo 112 [18/19] Ec declaration of conformity

Testo 112 [18/19] Ec declaration of conformity
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10. Ïðèíàäëåæíîñòè/Çàïàñíûå ÷àñòè
Äåêëàðàöèÿ ñîîòâåòñòâèÿ

Содержание

36 10 Принадлежности Запасные части Декларация соответствия Wir messen es EG Kp nform i täts erk lä runq EC declaration of conformity Die alleinige Verantwortung für die AussteSung dieser KonfrzmitStserklarung tragt der Hersteller The declaration is issued under the sole responsibility bl ine manufacturer Für d e nachfolgend bezeichneten Produkte We confirm that Ihe followup products testo 112 Best Hr lOrfeNü 0560 1120 Staatliche Bavtzulassungs Nr Z 14 40 05 01 wirä testal gL daß sie den wesentlichen Schjtzanfordqrungim entsprechen die in del Richtlinie des Rales M Angleichung der RechtsvorBchnft n der Mltgliedstaator Uber dio eiektromagnetisctie Verträglichkeit 20t A OÜ EUI lestgelegt sind und dem Mast rind Eicngnsotz und e damut gestutzten Rechlsirröidftungen entsprechen corresnonds with the main poiecliún requrements which ere fixed in ие EEC Council OirectivB 2014 20 U on the адргОхтаГоП Of the ia oi the member states retanng to alectromepnetic ccmoaitiiity The doclnrahon applies to all sainpfes of the above mentioned product Zur Beurteilung der Erzeugnisse hnnsichtich elektromagnotiSGher Verträglichkeit wurden folgende Normen nerangezegen For assessment ofifw pr ft f fcüWing standards nave dee cs 0 upon Storau sandung Pwtubing radiation Störfestigkeil Г Pertubrng resJsrance DIN EN 61326 172013 ct 0 DIN EN 61326 1 20i3 table 1 Konto rmititsbowurtungsstotla wese una Eichwasen bweemsensen wnii BiBfemzi GoWhestmUe 44 30183 Hannover Oese Erklärung wird für This declaration is gñ en in vsponsrb iy for Tasto AG Postfach P O 00x1140 79849 Lenzkirch i Germany www testo com abgegeben durch I by ihhnw t тегз Uwe Haury Tttns üliiWr йлвд Oirt gfg________________________ Head of QuatiteBiion Test TSMJT r Mbit i Hiiale i Рийо i г M тиагч tre ч чЛсЬл 1 LenadrctLTLD2 Q15 Ü4 WB4JJMM а Limm rimi Fi Äe ттчиг el HB nieiiirhrat j DcrHciJtchn betrete an sHrtAiMrtto C aliv her jiQMvaiDiT no h DP ISCi ЯО I ТПв ям лЦ дЛЬч с мглГ л renAní aiw WMW X AUrll üCCú iíilíl ro aw w sw

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