Производство оперативной памяти нового типа возможно в 2018 году

О том, что началась разработка проекта крупного масштаба в области создания нового вида оперативной памяти, одновременно заявили как японские, так и американские исследователи. Завершение проекта обещают через 4-5 лет.

 

Сейчас есть так называемая динамическая память с произвольным доступом (DRAM). Она нашла повсеместное использование в современных компьютерах и смартфонах. Так вот вместо нее ученые считают возможным и необходимым применять магниторезистивную память с произвольным доступом (MRAM). 

 

Интересно отметить, что этот поистине революционный проект настолько привлекателен, что свои усилия в его реализации решили объединить не менее двадцати компаний. Причем среди них есть и такие, в чьем авторитете сомневаться не стоит. Например, это американский гигант Micron Technology, а также такие компании, как Renesas Electronics, Tokyo Electron, Hitachi или Shin-Etsu Chemical.

 

Как считают сами исследователи, новый тип памяти способен в десятки раз поднять производительность гаджетов. И это не говоря о том, что он может снизить их энергопотребление. 

 

Проще говоря, DRAM и MRAM отличаются друг от друга тем, что у них разный способ хранения информации. DRAM нужны для этого электрические заряды, а MRAM – магнитные моменты. А чтобы поддержать их, необходимо намного меньше энергии. Вот за счет чего упрощена работа с проводниками и стабилизаторами.

 

Разработки в этой сфере будут вести с использованием интеллектуального потенциала множества исследователей из Университета Тохоку, что в стране восходящего солнца. Возглавит эту группу профессор Тетсуо Эндо. К работе над проектом здесь приступят в феврале следующего года. А вот сам массовый выпуск устройств на основе MRAM придется ждать дольше, то есть не ранее 2018 года.

 

Подчеркнем, что не только специалисты из Университета Тохоку занялись столь перспективной разработкой. Производить MRAM память собирается также Everspin Technologies. Причем уже в самое ближайшее время. А инженеры из компании Buffalo уже в 2015 году намерены изготовить первый SSD с ST-MRAM-буфером, который как раз будет основан на разработках Everspin.

 

Впрочем, к работам над технологиями магниторезистивной памяти MRAM ученые приступили еще в конце минувшего века. Основное достоинство такого типа запоминающих устройств заключается в энергонезависимости, которой они обладают. Те, кто являются убежденными сторонниками этой технологии, верят, что MRAM ничто не мешает стать единым стандартом компьютерной памяти. 

 

Но необходимо отметить, что и поныне это решение на коммерческом рынке пока не распространено. Изредка разработчики балуют информацией журналистов о лабораторных успехах. Однако они так и не приблизили стадию коммерческого использования MRAM.

 

А как же специалисты из России? Известно, что они заявили о начале якобы разработок на основе MRAM. Совместным предприятием «Роснано» и Crocus Technology («Крокус Наноэлектроника») вроде бы даже уже запущена первая очередь предприятия по производству магниторезистивной памяти. К концу 2014 года предприятие должно выйти на производительность в 500 пластин в неделю.