MSI B75MA-P33 [78/204] Advanced channel 1 2 timing configuration

MSI B75MA-P33 [78/204] Advanced channel 1 2 timing configuration
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Содержание

tCL Il contrôle la latence CAS qui détermine le retard du timing en cycle d horloge avant que le S DRAM commence un ordre de lecture après l avoir reçu tRCD Cette fonction vous permet de déterminer le timing de la transition de RAS row address strobe à CAS column address strobe Plus basse est la fréquence de l horloge plus rapide est la performance de la DRAM tRP Cette fonction contrôle le nombre de cycles pour que le Row Address Strobe RAS est autorisé à pré charger S iln ya pas assez de temps pour que le RAS accumule sa charge avant le rafraîchissement de la DRAM le rafraîchissement peut être incomplet et le DRAM peut échouer à retirer les données Cette fonc tion s applique seulement quand le système utilise de la DRAM synchrone IRAS Ce menu détermine le temps que le RAS prend pour lire ou écrire une cellule de mémoire tRFC Cette fonction permet de déterminer le temps que le RFC prend pour lire ou écrire une cellule de mémoire IWR L intervalle de temps minimum entre la fin d apparition d écriture de données et le début de l ordre de précharge Permet aux amplificateurs sensitifs de restau rer les données aux cellules tWTR L intervalle de temps minimum entre la fin d apparition d écriture de données et le début de l ordre de pré char Permet au pont I O de faire sur fonctonner l amplificateur sensitif avant qu un ordre de lecture commence tRRD Spécifie le délai actf à actif des différentes banques tRTP L intervalle de temps entre un ordre de lecture et un ordre de pré charge tFAW Ce menu sert à régler le délai FAW délai de quatre fenêtres activées tWCL Ce menu sert à régler le timing tWCL Write CAS Latency tCKE Ce menu sert à régler Pulse Width pour le module DRAM tRTL Ce menu sert à régler Round Trip Latency Advanced Channel 1 2 Timing Configuration Appuyez Enter pour entrer dans le sous menu Vous pouvez régler le timing de mémoire avancée pour chaque canal 78