MSI B75MA-P45 [118/162] Carte mère ms 7798

MSI B75MA-P45 [118/162] Carte mère ms 7798
Fr-32
Carte mère MS-7798
DRAM Reference Clock
Ce menu vous permet de spécer DRAM Reference Clock pour le CPU. Veullez noter
que le comportement d'overclockng n'est pas garant.
DRAM Frequency
Ce menu vous permet d'ajuster la fréquence DRAM. Veullez noter que le comporte
-
ment d'overclockng n'est pas garant.
Adjusted DRAM Frequency
Il montre la fréquence ajustée de la DRAM. Lecture unquement.
DRAM Tmng Mode
Le type de tmng DRAM est contrôlé par l’EEPROM SPD (Seral Presence Detect)
du module DRAM. La mse en [Auto] actve le DRAM tmngs et le sousmenu suvant
“Advance DRAM Conguraton” est détermné par le BIOS en foncton de la conguraton
du SPD. La mse en [Lnk] ou [Unlnk] vous permet de congurer le tmngs DRAM et le
sous-menu “Advance DRAM Conguraton” manuellement.
Advanced DRAM Conguraton
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu.
Command Rate
Ce réglage contrôle le taux d’ordre DRAM.
tCL
Il contrôle la latence CAS, qu détermne le retard du tmng (en cycle d’horloge)
avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après l’avor reçu.
tRCD
Cette foncton vous permet de détermner le tmng de la transton de RAS (row
address strobe) à CAS (column address strobe). Plus basse est la fréquence de
l’horloge, plus rapde est la performance de la DRAM.
tRP
Cette foncton contrôle le nombre de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS)
est autorsé à pré-charger. S’l n’y a pas assez de temps pour que le RAS accumule
sa charge avant le rafraîchssement de la DRAM, le rafraîchssement peut être n
-
complet et le DRAM peut échouer à retrer les données. Cette foncton s’applque
seulement quand le système utlse de la DRAM synchrone.
tRAS
L’artcle détermne le temps que le RAS prend pour lre ou écrre une cellule de
mémore.
tRFC
Cette foncton permet de détermner le temps que le RFC prend pour lre ou écrre
une cellule de mémore.
tWR
L’ntervalle de temps mnmum entre la n d’apparton d’écrture de données et le
début de l’ordre de précharge. Permet aux amplcateurs senstfs de restaurer les
données aux cellules.
tWTR
L’ntervalle de temps mnmum entre la n d’apparton d’écrture de données

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