MSI G31M4-F [81/108] Cas latency cl latence cas

MSI G31M4-F [81/108] Cas latency cl latence cas
Fr-23
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DRAM Timing Mode (Mode DRAM Timing)
Mis en [Enabled] rend DRAM CAS# Latency automatiquement déterminé par
BIOS basé sur les configurations sur le SPD (Serial Presence Detect) EEPROM
sur le moduole DRAM.
CAS Latency(CL) (Latence CAS)
Lorsque le mode DRAM Timing est mis en [Manual], ce domaine est ajustable.
Il contrôle la latence CAS, qui détermine le retard de timing (dans les cycles
dhorloge) avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après lavoir
reçu.
tRCD
Lorsque le mode DRAM Timing est mis en [Manual], ce domaine est ajustable.
Quand le DRAM est rafraîchi, les rangs et les colonnes sont tous adressés
séparément. Cet article vous permet de déterminer le timing de la transition de
RAS (row address strobe) à CAS (column address strobe). Le moins fonctionne
lhorloge, le plus vite est la performance de DRAM.
tRP
Lorsque le mode DRAM Timing est mis en [Manual], ce domaine est ajustable. Cet
article contrôle le numéro de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS) soit
permit de précharger. Sil ny a pas assez de temps pour que le RAS accumule son
charge avant le refraîchissement de DRAM, le refraîchissement peut être incomplet
et le DRAM peut échouer à retenir les données.Cet article applique seulement
quand le DRAM synchrone est installé dans le système.
tRAS
Lorsque le mode DRAM Timing est mis en [Manual], ce domaine est ajustable. Cet
article détermine le temps que le RAS prend pour lire ou écrire sur une cellule de
mémoire.
tRTP
Quand le DRAM Timing Mode est mis en [Manual], time interval between a
read and a precharge command.
tRC
Lorsque le mode DRAM Timing est mis en [Manual], ce domaine est ajustable.
ce temps du cycle de rang détermine le numéro minimum du cycle dhorloge
dont un rang de mémoire a besoin afin de compléter un plein cycle, de
lactivation du rang jusqu’à la préparation du rang active.
tWR
Lorsque DRAM Timing Mode est mis en [Manual], Ce domaine est ajustable. Il
spécifie la quantité de retard (en cycles dhorloge) qui doit disparaître après la
fin dune opération d’écriture valide, avant quune banque activée soit
préchargée. Ce retard sert à garantir que les données dans les buffers blancs
soient écrites sur les cellules mémoire avant le surgissement du précharge.
tRRD
Lorsque le mode DRAM Timing est mis en [Manual], ce domaine est ajustable.
Il spécifie le retard activité-à-activité de banques différentes. Le temps interval
entre une lecture et un ordre de précharge.

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